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公司介绍

>上海源象化学有限公司创立于2021年，是一家专业从事提供和开发用于化学气相沉积和原子层沉积薄膜材料所需的特种电子化学品—即 CVD 和 ALD 前驱体源，以支持相关科研院校在半导体、显示、纳米、新能源、催化等领域的学术研究。公司在苏州建设有2000平方米的研发中心和多条生产实验线，产品种类丰富。拥有完善的检测条件包括大型洁净室和ICP-MS等。团队主要由具有国际和国内著名高校教育背景的博士和硕士组成，从业经验丰富。公司产品种类丰富，可以提供文献专利中已经使用过的（目前常用的大多数）前驱体源，也可以提供新型前驱体源的设计制备服务。

>我司的核心业务是提供研发级的先进的 CVD 和 ALD 前驱体源，用于制备学术研究和企业研发用的金属/氧化物/氮化物/碳化物/硅化物/硫化物薄膜。我们的检测条件能够分析PPb级的各种杂质，以确保所交付的产品适用于特定的应用。同时我们支持客户定制的分子的合成和纯化工作。

>我司可提供定制合成的前驱体源种类丰富，分子结构通常为配合物。其核心元素包括硅以及所有稳定的金属元素，具体分子结构详见产品列表

应用领域

【半导体微纳加工】

随着集成电路工艺技术的不断提高，晶体管的特征尺寸及刻蚀沟槽不断减小，沟槽及其侧壁的镀膜技术面临严峻的挑战，目前常用的物理气相沉积（PVD）及化学气相沉积（ CVD ）工艺已经无法满足极小尺寸下良好的台阶覆盖要求，因此能够控制纳米级别厚度的高质量超薄膜层制备的ALD技术成为未来发展的趋势。ALD 技术可以大面积沉积均匀无孔的超薄膜，在亚纳米尺度上精确控制膜厚，并且在高深宽比、形状复杂的结构中具有优异的保形性。ALD 沉积薄膜的温度窗口很宽，反应对生长温度并不敏感，可以适应不同温度环境下的薄膜制备。ALD在半导体先进制程中主要的应用包括金属栅、栅介质层和互连线扩散阻挡层加工工艺三个方面。发展至今，ALD 已经成为应对半导体先进制程器件技术小型化的要求的重要技术，在先进制程领域有着广泛且重要的应用。

【多相催化】

利用ALD能够获得结构清晰的催化剂，通过原子尺度的加工技术，可以实现对催化剂尺度、组成、孔结构和分散情况的精准控制，能够快速实现单因素实验的设计，深入认识界面催化作用本质。现阶段，在催化剂界面调控方面，ALD 已经发展出包覆法、超薄修饰法、选择性 ALD 、模板辅助 ALD 和模板-牺牲层辅助 ALD 等多种策略，能够获得具有核壳、倒载金属、氧化物阱限域金属、多孔三明治、氧化物管多重限域、管套管式多界面和空间分离多界面等多种结构。ALD 技术在催化领域的应用可以促进催化机理的研究与高性能催化剂的开发，最终推动石油化工、生物催化等相关领域的发展。

【超级电容】

超级电容器由于功率密度高,循环寿命长,工作温度范围宽,安全稳定等特点，被认为是替代传统化石能源的高效能量转换和存储设备，与锂电池等储能手段相互补充。目前能量密度低的瓶颈限制其工业化应用。在开发新的超级电容器电极材料以提高其能量密度.纳米结构电极材料的研究加速了超级电容器的发展,相比块状材料,纳米材料具有更高的比表面积,能存储更高的能量,且小尺寸颗粒可以有效缓解充放电过程中电极的膨胀和收缩,防止电极材料粉化,提高循环稳定性。ALD 技术具有自限制、自饱和以及优异的三维共形性和大面积的均匀性,能够在各种复杂的表面上进行沉积,且厚度精准可控,因而在超级电容器领域有很大的应用前景。

【光伏太阳能】

太阳能电池的背钝化技术能够有效提高电池的效率。在目前已有的硅基体高效电池技术中，氧化铝背钝化太阳电池将提升电池效率的工艺移至电池背面，因此其与其他的高效电池技术及新的提高电池效率的制造工艺有非常好的兼容性，可以与其他高效技术同时整合在硅太阳能电池中。根据目前的研究进展，ALD 技术制备的薄膜质量高、均匀性好、钝化效果佳，成为背钝化技术发展的主流趋势。另外，在最新的薄膜太阳能电池领域，ALD 镀膜技术可以成为部分主要活性薄膜的生产工艺，也可以为钙钛矿薄膜等柔性光伏组件提供良好的水氧阻隔封装。

【锂电池隔膜材料】

目前在新能源乘用车领域，动力电池的主流是三元材料锂电池。 “三元材料”是指镍钴锰酸锂NCM正极材料。镍、钴、锰三种金属元素按照不同的配比不同，形成不同种类的三元材料。通过提高镍含量，可以延长续航里程，但是材料的稳定性也会变差，易燃易爆炸，这是三元锂电池安全隐患的根源。原子层沉积可以通过使用特殊材料在粉末状的锰、钴、镍等正极材料表面均匀镀膜，形成只有几纳米厚度的“核-壳”结构层，使属性活跃的高镍材料“安静”下来，不再容易分解或与其他物质发生反应，从而提高其安全性。此外、由于正极材料粉末镀膜后，减少了与其他物质反应所产生的损耗，让电池续航更接近其理论值。同时，由于材料更稳定等因素，允许的最大充电电流也相应变大，使得汽车的充电速度也可大幅度提高。

【OLED柔性屏隔膜】

OLED是对水和氧的防护比较弱的有机材料。为了保护OLED，制造商会在OLED之上铺上许多层的薄膜，减少水和氧的侵蚀以延长使用寿命和维持性能。ALD技术可以制备原子薄膜层，MLD（分子层沉积）技术可以形成有机材料分子层，两者结合就可以形成多层屏障，保护OLED，使之免受水和氧的侵蚀，即使在低温下也可以形成。与现有的CVD方法相比，引进ALD技术在屏幕生产过程中有一些特别的优势，例如它可以减少杂质，形成厚度相同的高质量薄膜阻隔层，保护效果明显增强。除此之外，ALD 技术还可以制备的薄膜种类更加繁多，选择性更大，这也是它的一个优势。

【先进材料表面改性】

ALD 技术是一种从底部向上的制备薄膜涂层方法。该技术是依靠连续的、自限和表面控制的气相化学反应而进行的。期间连续的原子层会以周期方式沉积在表面上，直到达到所需的膜厚度。这种成膜机制可以生产出无裂纹、无缺陷和无气孔的致密材料，并且该方法还可以在低温下进行聚合物和其他敏感材料的涂覆。ALD 的表面改性特性可以应用于医疗器械、珠宝加工等领域。特殊设计的ALD膜具有超薄性、生物相容性和生物活性，可应用在制备外科植入物上从而可以提高植入物与骨骼的粘附，不仅加快了愈合过程，还可以保护患者免受金属离子从植入物泄漏到体内的威胁。ALD技术在医疗穿戴和可植入传感器空间这一领域具有很大的发展前景。

【光学器件】

3D光学元件镀膜时，面临的挑战是采用简单的方式高均匀性地涂覆沉积镀膜。用于光学镀膜的常用技术包括磁控溅射、蒸发、电子束蒸发（EBE）和离子束溅射（IBS), 所有这些技术均称为视线法。这会导致厚度分布和阴影效果不均匀。ALD 克服了这些限制条件，并证明了其能够有效应对高精度无针孔薄膜的挑战，不仅大规模实现了均匀性，而且在高纵横比结构上实现共形涂覆。目前，ALD 技术已达到极高的可靠性，使其成为批量生产关键光学涂层的绝佳替代品。此外，这种光学涂层也可以用于珠宝首饰加工行业，为ALD技术的发展开拓了一个方向。